TSMC puede retrasar su nodo de fabricación de semiconductores de 2 nm hasta 2026. Si los rumores sobre el retraso de TSMC en su plan de producción de 2 nanómetros son ciertos, el impacto se sentirá en toda la industria de los semiconductores. La vacilación de TSMC a la hora de avanzar en la tecnología podría deberse a una serie de factores, incluido el cambio arquitectónico de FinFET a Gate-All-Around (GAA) y los posibles desafíos asociados con la ampliación a 2 nm.
TSMC planea construir una fábrica Fab20 en la segunda fase de Zhuke Baoshan, planificando un total de cuatro fábricas de obleas de 12 pulgadas (P1~P4). Originalmente se esperaba que entrara en producción de prueba de riesgo en la segunda mitad de 2024 y entrara en producción en masa en 2025. El último progreso es que la Oficina de Gestión de Zhuke ha iniciado obras públicas para la segunda fase del plan de expansión de Baoshan, como carreteras circundantes, piscinas de aguas residuales, etc., y ha entregado el terreno a TSMC para iniciar las operaciones de construcción de la fábrica simultáneamente.
Según las últimas noticias sobre la cadena de suministro, el plan de construcción de la fábrica de Baoshan ha comenzado a ralentizarse, lo que puede afectar el plan de producción en masa original. Los expertos de la industria especulan que el tiempo de aceleración podría posponerse hasta 2026.
En cuanto a la planta de Kaohsiung, comenzó a construir una planta de 2 nanómetros simultáneamente con la planta de Baoshan en Hsinchu. La operación original de pedido de máquinas se realizó sólo un mes después que la de la planta de Baoshan. Actualmente no está claro si la desaceleración en la planta de Baoshan afectará al mismo tiempo a la planta de Kaohsiung. En cuanto a la planta de Taichung, ha pasado la revisión municipal del gobierno de la ciudad de Taichung, pero el inicio de la construcción tendrá que esperar hasta el próximo año. Algunos medios dijeron que la planta de Zhongke no descarta avanzar directamente a un centro de producción de 1,4 nanómetros o incluso de 1 nanómetro.
La compañía es un actor importante en este campo y retrasar la producción podría abrir oportunidades para rivales como Samsung, cuyos chips de 3 nanómetros ya han hecho la transición a la arquitectura de transistores GAA. El informe de demanda "deprimida" sorprende dada la enorme demanda de nodos avanzados debido al auge de la inteligencia artificial, el Internet de las cosas y otras tecnologías de próxima generación.
Sin embargo, también es posible que sea demasiado pronto para que los clientes asuman compromisos firmes hasta 2025 y más allá. TSMC refutó estos rumores y dijo que la construcción va por buen camino, incluidas pruebas de 2 nm en 2024 y la producción en masa en la segunda mitad de 2025.
Aún así, cualquier retraso en la hoja de ruta de TSMC podría servir como catalizador de cambios en la dinámica del mercado. Es posible que las empresas que dependen en gran medida de los nodos avanzados de TSMC deban reevaluar sus cronogramas y estrategias. Además, si Samsung puede aprovechar esta oportunidad, podrá lograr una competencia igualitaria hasta cierto punto. Sin embargo, por ahora estos rumores deben tomarse con cautela hasta que se obtenga información más concreta.