Resumen:
Los ejecutivos de Intel declararon recientemente en entrevistas públicas que la brecha entre la empresa y TSMC en tecnología de procesos avanzados se ha reducido a "sólo unos pocos puntos porcentuales". El mayor desafío para alcanzar a los líderes de la industria en el futuro ya no es la tecnología en sí, sino cómo establecer una escala de fabricación y un sistema de capacidad de producción que esté a la altura de sus competidores.
En el podcast Dwarkesh, el director de tecnología de Intel, Pushkar Ranade, señaló que desde una perspectiva pura de tecnología y rendimiento, la distancia entre Intel y TSMC ya es bastante limitada. Él cree que el problema central al que se enfrenta la empresa es ampliar la escala de producción de procesos avanzados, y este proceso llevará mucho tiempo completarse. En otras palabras, lo que determina el panorama competitivo no es sólo el nodo de proceso en sí, sino también quién puede producir chips avanzados de manera estable y económica a mayor escala.
Al mismo tiempo, Chris Os, vicepresidente y director general del departamento de desarrollo de fabricación y cooperación con el cliente de Intel, se centró en el diseño de la empresa en tecnología de litografía ultravioleta extrema (High-NA EUV) de alta apertura numérica. Dijo que debido a que Intel fue el primero en adoptar la tecnología Backside Power Delivery, la compañía tiene una ventaja única al utilizar equipos High-NA EUV.
El EUV de alta NA se considera ampliamente como una tecnología clave para la fabricación de chips de próxima generación. En comparación con los equipos EUV existentes, su mayor apertura numérica puede mejorar la resolución de la litografía, brindando a los fabricantes de chips la oportunidad de completar patrones de circuitos más finos con menos pasos de exposición. Se espera que esto no sólo reduzca la complejidad de fabricación, sino también los costos de producción. El informe señaló que esta tecnología puede admitir la fabricación de patrones avanzados dentro de un rango de paso de aproximadamente 8 nanómetros a 16 nanómetros, brindando soporte para futuros diseños de chips de mayor densidad.
Chris Os explicó que la arquitectura de suministro de energía posterior adoptada por Intel transfiere la red de suministro de energía originalmente ubicada en la parte frontal de la oblea a la parte posterior de la oblea, liberando así más espacio para el diseño de los transistores frontales y las líneas de transmisión de datos. Este diseño reduce efectivamente la presión de separación de líneas frontales y permite que el diseño del chip tenga un espacio de tolerancia más flexible durante el proceso de fotolitografía.
Según él, debido a su tecnología de suministro de energía trasera, Intel puede usar directamente High-NA EUV para completar la fabricación de gráficos relacionados. Dado que TSMC no adopta la misma arquitectura de fuente de alimentación, debe mantener un espacio entre líneas más ajustado en algunos diseños. Por lo tanto, no puede confiar completamente en High-NA EUV para completar la producción. Todavía necesita depender de procesos EUV de patrón dual para lograr sus objetivos.
Reveló además que el proceso 14A de próxima generación de Intel está actualmente abierto a los clientes como una opción en el kit de diseño de procesos (PDK). Con respecto a la adopción de este proceso, la empresa llevará a cabo discusiones individuales y cooperación en función de las necesidades de los diferentes clientes.
La industria cree que esta declaración muestra además que Intel está promoviendo activamente la implementación de High-NA EUV alrededor del nodo 14A. Ha habido rumores en el mercado de que High-NA EUV podría usarse por primera vez en el proceso 18A, pero a juzgar por la información revelada esta vez, 14A se ha convertido en una de las plataformas de procesos avanzados de próxima generación de planificación clave de Intel.
A medida que la competencia en la industria global de semiconductores continúa aumentando, Intel está tratando de restablecer su ventaja competitiva a través de una combinación de tecnologías como fuente de alimentación trasera, EUV de alta apertura numérica y proceso 14A de nueva generación. Aunque los ejecutivos de la compañía creen que están cerca de TSMC a nivel técnico, Intel todavía enfrenta arduos desafíos a largo plazo en términos de producción a gran escala de procesos avanzados, ecología de clientes y expansión de capacidad.
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