Según los informes,Samsung planea relanzar su tecnología de almacenamiento Z-NAND con un objetivo de mejora del rendimiento de hasta 15 veces en comparación con la memoria flash NAND tradicional y al mismo tiempo reducir el consumo de energía en un 80%.Además, Samsung también ha desarrollado una nueva tecnología llamada "Acceso directo al almacenamiento iniciado por GPU (GIDS)" que permite a la GPU acceder directamente a dispositivos de almacenamiento Z-NAND, similar a la API DirectStorage de Microsoft.
La tecnología Z-NAND de Samsung se lanzó originalmente a mediados de la década de 2010 con el objetivo de competir con la tecnología de almacenamiento 3D XPoint Optane de Intel. Ambos introducen un nuevo tipo de almacenamiento de estado sólido con un rendimiento cercano al de la DRAM y una latencia del sistema muy inferior a la de los SSD tradicionales.
A diferencia del 3D XPoint Optane de Intel, el Z-NAND de primera generación de Samsung es esencialmente una versión acelerada del SSD NAND SLC.
Se basa en un diseño V-NAND mejorado, adopta una estructura de 48 capas y funciona en modo de celda de una sola capa (SLC). Su mejora clave es reducir el tamaño de la página a 2-4 KB, logrando así velocidades de lectura y escritura de datos más rápidas y una menor latencia del sistema.
En ese momento, las unidades basadas en Intel Optane y Samsung Z-NAND eran entre 6 y 10 veces más rápidas que las SSD tradicionales, y si la Z-NAND de próxima generación de Samsung cumple con las expectativas, podría funcionar hasta 15 veces mejor que las SSD NVMe actuales.
