Winbond Electronics anunció oficialmente el lanzamiento de una nueva DRAM DDR4 de 8 Gb. Este producto utiliza la avanzada tecnología de proceso de 16 nm propia de Winbond para proporcionar mayor velocidad, menor consumo de energía y soluciones más rentables.Es adecuado para diversos mercados, como televisores, servidores, equipos de comunicación de red, computadoras industriales y aplicaciones integradas.
Gracias al proceso de 16 nm, la nueva generación de productos DDR4 ha logrado importantes avances en rendimiento. En comparación con la tecnología de generación anterior, este proceso tiene un tamaño de matriz más pequeño, mayor rendimiento de obleas y mejor eficiencia energética, lo que ayuda a los clientes a integrar DRAM de mayor capacidad sin cambiar el tamaño del paquete.
La optimización del proceso también mejora la integridad de la señal, reduce la tasa de fuga y garantiza que el producto mantenga un funcionamiento estable a velocidades de transmisión de datos de hasta 3600 Mbps.
Como el primer producto DDR4 de la industria que admite una velocidad de transmisión de 3600 Mbps, Winbond 8Gb DDR4 DRAM supera el estándar DDR4 existente y puede satisfacer las necesidades de procesamiento de datos de aplicaciones informáticas de alta velocidad. Con la reducción del área del chip que ofrece la tecnología de 16 nm, este producto puede proporcionar una mayor capacidad en el mismo paquete, lo que ayuda a reducir aún más el costo general del sistema.
Winbond Electronics tiene sus propias capacidades de proceso completo, desde el diseño, el desarrollo del proceso de 16 nm hasta la fabricación, y puede proporcionar soporte confiable de la cadena de suministro y servicios posventa profesionales a clientes industriales y usuarios de KGD (buena oblea desnuda).
Basado en la misma plataforma de proceso de 16 nm,Winbond también está desarrollando simultáneamente otros tres productos DRAM, incluidos CUBE, LPDDR4 de 8 Gb y DDR4 de 16 Gb, para ampliar aún más el diseño de sus productos de memoria de próxima generación.
