recientemente,Intel anunció que ha instalado el último sistema de litografía TWINSCAN EXE:5200B de ASML, que es el primer sistema de litografía High-NA EUV de segunda generación y actualmente el más avanzado del mundo y se utilizará en el proceso de nodo 14A de Intel.Anteriormente, Intel recibió el primer conjunto de modelo EXE:5000 High-NA EUV a finales de 2023 y completó la investigación y el desarrollo de tecnología temprana y la reserva de talentos en la fábrica Fab D1X en Oregón. El EXE:5200B lanzado esta vez ha mejorado la productividad y la precisión.
Intel señaló que, en cooperación con ASML, ha demostrado con éxito la viabilidad técnica de los equipos de litografía de última generación para proporcionar mayor precisión y productividad, sentando las bases para la futura fabricación en gran volumen de equipos High NA EUV.
Según información oficial, la capacidad de producción del EXE:5200B en condiciones estándar puede alcanzar las 175 obleas por hora, pero Intel planea aumentar la velocidad de producción a más de 200 obleas por hora mediante ajustes adicionales del sistema.
El nuevo sistema también se basa en la experiencia de Intel en el uso de equipos de litografía EUV High-NA durante el año pasado y ha mejorado la precisión de superposición a 0,7 nm.
Intel dijo que el equipo de litografía High-NA EUV es una capacidad importante en su fundición de obleas, ya que combina sus propias habilidades en campos relacionados como enmascaramiento, grabado, mejora de la resolución y metrología para lograr los detalles más finos de los transistores necesarios para los chips actuales.
