Resumen:
En la Conferencia Mundial de Fabricación de 2026 en Hefei, Changxin Technology anunció oficialmente la producción en masa de la plataforma de tecnología DRAM de quinta generación (plataforma G5), exhibió simultáneamente productos LPDDR5X de gran capacidad basados en la plataforma y demostró públicamente por primera vez la memoria LPDDR6 producida en masa.
El principal avance de la plataforma G5 reside en la reducción de los procesos. Esta plataforma se basa en la tecnología Quadruple Patterning para reducir el paso medio del área activa de la matriz de memoria a 11,95 nanómetros, lo que se acerca al proceso de plataforma de producción en masa de memoria más importante del mundo.
Como referencia, el nodo DRAM más avanzado actual de Samsung es de 12 nm, y los 11,95 nm del Changxin G5 son comparables al nivel de producción en masa de Samsung. La clave es que este avance se logró utilizando DUV de inmersión ArF sin depender de máquinas de litografía EUV.
Además de la reducción del ancho de línea, la plataforma G5 también ha mejorado la relación de aspecto del condensador de almacenamiento a 45:1 cambiando el flujo del proceso y utilizando nuevos materiales, y ha desarrollado un proceso de compuerta metálica de alta constante dieléctrica (HKMG) adaptado al proceso DRAM, reduciendo la altura del área funcional central a 6762 nanómetros.
De este modo, la densidad de almacenamiento ha mejorado a pasos agigantados. La cantidad de troqueles producidos por oblea es al menos un 50 % mayor que la de la plataforma de la generación anterior, lo que tiene ventajas significativas en la eficiencia energética del producto y el control de costos. Luo Xiaodong, vicepresidente de Changxin Technology, dijo:
El nivel de proceso de la plataforma G5 es comparable al de los principales nodos de producción en masa de la industria.
Los dos productos LPDDR5X producidos en masa que se exhiben simultáneamente tienen una capacidad única de 24 Gb, que es un 50 % más alta que la generación anterior de productos similares. Están empaquetados en 496Ball y 245Ball respectivamente. Son adecuados para teléfonos inteligentes de gama media y alta y productos electrónicos de consumo portátiles. Ahora han entrado en la etapa de producción en masa a gran escala.
Otro foco de atención en la conferencia fue el LPDDR6 producido en masa. Changxin LPDDR6 anunció oficialmente la producción en masa el 29 de agosto, con una velocidad de transmisión máxima de 12800 Mbps, un aumento del 60 % en el ancho de banda en comparación con LPDDR5X, una reducción del 20 % en el consumo de energía y una capacidad máxima de chip de 16 GB.
El primer modelo equipado con LPDDR6 es el teléfono móvil insignia plegable Xiaomi 18 Fold. Esta es la primera vez que los productos LPDDR6 se comercializan en un teléfono móvil emblemático del mundo. También marca la primera vez que una empresa de almacenamiento china logra la primera producción en masa del mundo de estándares de memoria de alta gama.
Además,
Nubian NaviX Ultra, un "teléfono tipo puf" equipado con el LPDDR5X de 10667 Mbps de mayor velocidad de Changxin, también se ha puesto a la venta. Esta es la primera aplicación de producción en masa de un chip LPDDR5X doméstico de alta velocidad de 10667 Mbps.
Cabe señalar que Changxin admitió en el anuncio que la plataforma G5, como plataforma completamente nueva, todavía necesita un cierto período de tiempo para aumentar el rendimiento. Los productos basados en esta plataforma aún no han generado ventas a gran escala y no tendrán un impacto significativo en el desempeño operativo en el corto plazo.
Pero la importancia estratégica de la producción en masa del G5 es bastante clara: la DRAM nacional está pasando de ser un "cazador" a un "competidor" en términos de la tecnología de producción en masa más avanzada.
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