Resumen:
Changxin Memory (CXMT), el mayor fabricante de chips de memoria DRAM de China, se enfrenta a una presión de crecimiento de la cuota de mercado en el tercer trimestre de 2026. A medida que Samsung Electronics amplía aún más su capacidad de producción de chips de memoria y el mercado mundial de almacenamiento se inclina gradualmente hacia la memoria de gran ancho de banda (HBM), la cuota de mercado de DRAM de CX Memory cayó del 10 % en el segundo trimestre al 9 %. Sin embargo, en comparación con el mismo período del año pasado, su cuota de mercado aún aumentó en 4 puntos porcentuales, lo que demuestra que la empresa todavía se encuentra en la etapa de rápida expansión.
Estos datos proceden de la empresa de investigación de mercado Counterpoint Research. Según su último informe, el panorama competitivo del mercado mundial de DRAM ha cambiado significativamente en el tercer trimestre de 2026: Samsung Electronics volvió a ampliar su liderazgo con una participación en los ingresos del 38 %, SK Hynix representó el 29 % y Changxin Memory representó el 9 %.
En comparación con el segundo trimestre, la cuota de mercado de Samsung aumentó 5 puntos porcentuales, mientras que SK Hynix cayó 4 puntos porcentuales. Changxin Storage cayó ligeramente del 10% al 9%.
Este cambio está relacionado con el ajuste estructural que está teniendo lugar en el mercado mundial de la memoria. La construcción de infraestructura de inteligencia artificial continúa impulsando el crecimiento de la demanda de HBM, y los principales fabricantes como Samsung y SK Hynix están ajustando activamente los recursos de producción para satisfacer las necesidades de la nueva generación de memoria de gran ancho de banda. Al mismo tiempo, los precios de los productos DRAM tradicionales también están aumentando rápidamente, lo que hace que los ingresos de cada fabricante ya no dependan totalmente de los envíos reales.
Los datos de contrapunto muestran que en el tercer trimestre de 2026, los ingresos globales de la industria DRAM aumentaron casi cinco veces año tras año, pero los envíos de bits DRAM solo aumentaron alrededor de un 4%. Esto significa que el principal factor que impulsa el fuerte crecimiento de los ingresos del mercado no es el aumento de los envíos, sino el fuerte aumento del precio de venta medio de los chips de memoria.
El informe muestra que el precio de venta promedio de DRAM alcanzó 1,9 dólares por gigabit en el tercer trimestre. En un contexto de oferta relativamente escasa y crecimiento continuo de la demanda de servidores de inteligencia artificial, el aumento de los precios de los chips de memoria está cambiando significativamente la estructura de ingresos de la industria.
Changxin Storage había mostrado anteriormente un impulso de crecimiento muy fuerte. Counterpoint señaló en su informe del segundo trimestre que los ingresos trimestrales de la compañía aumentaron un 716% interanual, lo que la convierte en uno de los fabricantes de DRAM de más rápido crecimiento en el mundo. Su participación global en los ingresos de DRAM alcanzó el 7% en ese momento, mientras que la participación de mercado de Samsung en agosto de 2026 era de aproximadamente el 39%.
La demanda de DRAM nacional por parte de empresas chinas locales es una fuerza impulsora importante para el rápido crecimiento de Changxin Memory. A medida que los fabricantes chinos de servidores, computadoras personales y teléfonos inteligentes aumentan las compras nacionales de memoria, Changxin Storage ha ganado más oportunidades de mercado.
Sin embargo, Counterpoint ha señalado anteriormente que si Changxin Storage espera mantener la tasa de crecimiento actual, depender únicamente de la demanda interna de China no es suficiente. También necesita ampliar aún más la capacidad de producción y aumentar la penetración del producto en los mercados nacionales y extranjeros.
Actualmente, un desafío importante al que se enfrenta Changxin Storage es la velocidad de expansión de la capacidad. En comparación con Samsung y SK Hynix, su escala de producción general es aún menor y el mercado global de DRAM está entrando en una nueva ronda de ciclo de crecimiento de la demanda impulsado por la inteligencia artificial. Los grandes fabricantes pueden dar prioridad a satisfacer la demanda del mercado de HBM y memorias para servidores con mayores márgenes de beneficio ajustando sus líneas de producción y estructuras de productos.
Vale la pena señalar que el desarrollo de la inteligencia artificial no solo está aumentando la demanda de HBM, sino que también está volviendo a promover el mercado tradicional de DRAM.
A medida que los agentes de IA (Agentic AI) asumen gradualmente tareas más complejas, la dependencia del sistema del servidor de la CPU vuelve a aumentar. A diferencia de las primeras infraestructuras de IA que dependían principalmente de GPU para la computación paralela a gran escala, los agentes de IA que pueden planificar, llamar a herramientas y realizar tareas de varios pasos de forma autónoma requieren que la CPU realice más trabajo de programación, procesamiento de datos y administración del sistema.
Al mismo tiempo, la proporción de GPU y CPU en las configuraciones de servidor también está cambiando. Esta proporción ahora se ha reducido a aproximadamente 2:1. El director ejecutivo de Intel, Chen Liwu, dijo anteriormente en la conferencia telefónica sobre ganancias del segundo trimestre de la compañía que esta proporción alcanzó 8:1 en el pasado y luego cayó a 4:1.
El cambio en la proporción de GPU y CPU significa que los futuros centros de datos de IA podrían no solo necesitar más HBM, sino también aumentar la capacidad de DRAM de los servidores tradicionales para satisfacer las necesidades de CPU, operación del sistema y procesamiento de datos.
Esto es de gran importancia para toda la industria DRAM. Aunque HBM tiene un umbral técnico y un valor de producto más altos, la DRAM tradicional sigue siendo un componente de almacenamiento básico indispensable para servidores, ordenadores personales y equipos de electrónica de consumo. La expansión de la infraestructura de IA está impactando a ambos mercados simultáneamente.
Para Changxin Storage, el entorno de mercado actual no solo brinda oportunidades, sino que también aumenta la presión competitiva. Por un lado, el aumento de los precios de las DRAM tradicionales ayudará a mejorar los ingresos y la rentabilidad de las empresas; por otro lado, los grandes fabricantes como Samsung están ampliando su capacidad de producción, lo que también puede comprimir la cuota de mercado de otros fabricantes.
Es particularmente importante señalar que la disminución de la participación de mercado del 10 % al 9 % no significa una disminución absoluta en los ingresos o los envíos reales de Changxin Storage. Dado que el tamaño del mercado mundial de DRAM, los precios de los productos y la estructura de ingresos de los fabricantes están cambiando rápidamente, los cambios en la participación de los ingresos en un solo trimestre no pueden equipararse directamente con cambios en la capacidad de producción o la competitividad tecnológica.
Desde una perspectiva a largo plazo, el hecho de que Changxin Memory pueda ingresar al primer escalón del mercado global de DRAM aún depende de la investigación y el desarrollo de procesos avanzados, el rendimiento de la producción, la escala de la capacidad de producción y el diseño del producto de alto valor agregado. A medida que la demanda de servidores de inteligencia artificial siga creciendo, HBM se convertirá en un área importante de competencia para los fabricantes de almacenamiento globales, y el mercado tradicional de DRAM seguirá estando impulsado por la expansión de la infraestructura de IA.
Actualmente, la participación de mercado global de Changxin Memory sigue siendo significativamente menor que la de Samsung y SK Hynix, pero ha logrado una mejora significativa en comparación con el mismo período del año pasado. En los próximos trimestres, a medida que los precios globales de las memorias, la asignación de capacidad de HBM y las necesidades de adquisiciones locales de China sigan cambiando, habrá nuevos ajustes en la competencia de participación de mercado entre los tres fabricantes.
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