Resumen:
A medida que continúa creciendo la demanda de memoria avanzada procedente de inteligencia artificial, informática de alto rendimiento y dispositivos móviles de próxima generación, el gigante surcoreano de chips de memoria SK Hynix está acelerando su transformación al proceso DRAM 1c de última generación. Las últimas noticias de la industria muestran que la compañía está ajustando su estructura de capacidad de producción a gran escala y planea migrar cada vez más productos DRAM a la producción de nodos de proceso 1c de 10 nanómetros de sexta generación, y se espera que establezca la posición dominante de este proceso en los próximos trimestres.
Los datos muestran que en el primer trimestre de 2026, 1c DRAM solo representó alrededor del 10% de la producción total de DRAM de SK Hynix; en el segundo trimestre, aumentó a alrededor del 13%. Después de entrar en el tercer trimestre, se espera que esta proporción aumente significativamente al 24%, y para el cuarto trimestre, más de un tercio de los productos DRAM se fabricarán utilizando el proceso 1c, lo que representa alrededor del 34%. Según el plan actual, para el primer trimestre de 2027, la proporción del proceso 1c aumentará aún más hasta aproximadamente el 35%, superando por primera vez la proporción actual del nodo 1b del proceso principal de aproximadamente el 33%, convirtiéndose en la plataforma de producción de DRAM más importante de SK Hynix.
Los expertos de la industria señalaron que los nodos de proceso DRAM y los procesos de fabricación de chips lógicos no pueden simplemente corresponderse. Los fabricantes de almacenamiento suelen distinguir las diferentes generaciones de tecnología DRAM de 10 nanómetros mediante "1a, 1b, 1c" y otros métodos. Las principales diferencias se reflejan en la densidad de los transistores, el recuento de capas de litografía EUV y la complejidad general de fabricación. El tamaño de diseño real del proceso 1b actualmente ampliamente utilizado de SK Hynix es de aproximadamente 12 a 13 nanómetros y utiliza aproximadamente 4 capas de tecnología de litografía EUV; mientras que el proceso 1c más nuevo se reduce aún más a aproximadamente 11 a 12 nanómetros, mientras utiliza de 5 a 6 capas de tecnología de litografía EUV para lograr una mayor densidad y una mejor eficiencia energética.
Según el plan, el proceso 1c se encargará de la producción de muchos productos clave de SK Hynix en el futuro, incluida la memoria de alto ancho de banda HBM4E para el mercado de inteligencia artificial, la memoria móvil LPDDR6 de nueva generación y los productos de memoria de escritorio y servidor DDR5. El proceso principal 1b actual se utiliza principalmente en productos como DDR5, LPDDR5X, HBM3E y HBM4.
Desde la perspectiva de la competencia industrial, Samsung Electronics y Micron también están promoviendo la transformación de los procesos 1c, pero SK Hynix está reduciendo rápidamente la brecha y se espera que se ponga al día. Actualmente, aproximadamente el 16% de la producción de DRAM de Samsung proviene del proceso 1c, y la de Micron, aproximadamente el 19%, los cuales son superiores al índice del 13% de SK Hynix en el segundo trimestre. Sin embargo, con el rápido cambio de capacidad de producción en la segunda mitad del año, se espera que SK Hynix lo supere en el cuarto trimestre y se convierta en uno de los fabricantes con la mayor capacidad de producción de 1c DRAM del mundo.
Los analistas creen que una de las razones importantes por las que SK Hynix está promoviendo activamente el proceso 1c es que su ventaja de liderazgo en el mercado de memorias de alto ancho de banda continúa expandiéndose. A medida que aumenta la demanda de servidores de IA, HBM se ha convertido en uno de los productos de mayor rentabilidad más importantes y el proceso 1c se convertirá en una base técnica importante para la próxima generación de HBM4E. Al completar la introducción de procesos avanzados antes de lo previsto, la empresa espera consolidar aún más su posición competitiva en el mercado de almacenamiento de IA.
Sin embargo, a medida que la reducción de DRAM continúa avanzando, la industria también se enfrenta a nuevos desafíos técnicos. La estructura tradicional de celdas de memoria plana 6F² se está acercando cada vez más al límite físico, y la dificultad y el costo de seguir reduciendo el tamaño están aumentando. Por lo tanto, los fabricantes de memorias, incluido SK Hynix, han comenzado a investigar sobre la arquitectura de transistores de puerta vertical 4F² de próxima generación y la tecnología de apilamiento de DRAM 3D, con la esperanza de superar los cuellos de botella técnicos existentes mediante nuevos diseños estructurales.
Aunque la arquitectura de próxima generación aún se encuentra en la etapa de investigación y desarrollo, la industria en general cree que el proceso 1c seguirá desempeñando un papel fundamental en los próximos años. Para SK Hynix, esto no es solo una actualización de proceso de rutina, sino también un importante punto de inflexión estratégico en la competencia por el almacenamiento de alto rendimiento en la era de la IA.
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