Samsung Electronics presentará su primera herramienta de litografía EUV High-NA0.55, logrando así un gran salto en la tecnología de fabricación de semiconductores. La compañía planea instalar el sistema ASMLTwinscanEXE:5000 en su campus de Hwaseong entre el cuarto trimestre de 2024 y el primer trimestre de 2025, lo que marca un paso clave en el desarrollo de tecnología de procesos de próxima generación para la producción de lógica y DRAM.
La medida coloca a Samsung un año por detrás de Intel en la adopción de la tecnología High-NAEUV, pero por delante de sus rivales TSMC y SK Hynix. Se espera que el sistema esté operativo a mediados de 2025 y se utilizará principalmente con fines de investigación y desarrollo.
Samsung no solo se centra en los equipos de litografía en sí, sino que también construye un ecosistema integral en torno a la tecnología High-NAEUV. La empresa está trabajando con varios socios clave, como Lasertec (que desarrolla equipos de inspección para retículas de alta NA), JSR (que desarrolla fotoprotectores avanzados), Tokyo Electron (que mejora los grabadores) y Synopsys (que cambia a patrones curvos en las retículas para mejorar la precisión del circuito). Se espera que la tecnología de alto NAEUV logre avances significativos en la fabricación de chips.
En comparación con los sistemas ultravioleta actuales de bajo nivel de nanosegundos, la tecnología ultravioleta de segundo nivel High-NA tiene una capacidad de resolución de 8 nanómetros, lo que puede reducir el tamaño de los transistores aproximadamente 1,7 veces y aumentar la densidad de los transistores casi tres veces. Sin embargo, la transición a un NAEUV alto también enfrenta desafíos. Estas herramientas son más caras, cuestan hasta 380 millones de dólares cada una y tienen áreas de imagen más pequeñas. Su mayor tamaño también requiere que los fabricantes de chips reconsideren su diseño fabuloso.
A pesar de estos obstáculos, Samsung apunta a lograr la aplicación comercial de la tecnología de vacío ultraalto High-NA para 2027.