En la conferencia anual de tecnología organizada por Nvidia, Samsung Electronics lanzó su séptima generación de memoria de alto ancho de banda (HBM), conocida como HBM4E. Nvidia destacó en la conferencia su creciente asociación con el fabricante coreano de chips más allá de los chips de memoria. En la conferencia NVIDIA GTC 2026, que se inauguró en California el lunes (hora de EE. UU.), Samsung Electronics demostró los últimos avances de sus productos HBM4E y demostró sus capacidades como proveedor general de soluciones de memoria para la plataforma NVIDIA Vera Rubin AI.
Esta es la primera vez que Samsung Electronics demuestra públicamente un chip físico HBM4E. Se espera que su velocidad de transmisión de un solo pin pueda alcanzar los 16 Gbps y su ancho de banda sea de 4,0 TB/x.
Este rendimiento mejora en comparación con el HBM4, que tiene una velocidad de transmisión de un solo pin de 13 Gbps y un ancho de banda de 3,3 TB/s.
En el discurso de apertura, el director ejecutivo de Nvidia, Jensen Huang, expresó su gratitud a Samsung Electronics por producir la unidad de procesamiento de lenguaje (LPU) Groq 3, que se utilizará en la plataforma de inteligencia artificial de Nvidia para mejorar su rendimiento.
"Quiero agradecer a Samsung, ellos producen el chip Groq 3 LPU para nosotros, están trabajando duro. Realmente lo aprecio", dijo Huang, confirmando que el chip es producido por la unidad de fundición de Samsung Electronics.
Los comentarios de Huang Renxun indican que Samsung Electronics y Nvidia han ampliado su cooperación en el campo de la inteligencia artificial al negocio de fundición de chips.
El mes pasado, Samsung Electronics comenzó los envíos masivos de su chip HBM de sexta generación, conocido como HBM4, que está diseñado para la plataforma Vera Rubin de Nvidia y que, según Samsung, puede proporcionar "el máximo rendimiento" para la informática de inteligencia artificial.
Samsung Electronics también lanzó la tecnología Hybrid Copper Bonding (HCB), que puede apilar más de 16 capas de láminas de cobre y al mismo tiempo reducir la resistencia térmica en un 20 % en comparación con la unión por compresión térmica (TCB), destacando su fortaleza en los envases HBM de próxima generación.
"Para impulsar la innovación en la industria de la IA, son cruciales sistemas potentes de IA, como la plataforma Vera Rubin", afirmó el gigante tecnológico surcoreano.
Samsung Electronics agregó: "La compañía planea continuar brindando soluciones de memoria de alto rendimiento impulsadas por la plataforma Vera Rubin".
Samsung también afirmó que las dos compañías esperan utilizar esta asociación para liderar la transformación del paradigma global de infraestructura de inteligencia artificial.
Durante el evento, Samsung Electronics instaló un stand dividido en tres áreas (AI Factory, AI local e AI física) que exhiben los chips de próxima generación de la compañía que abordan las necesidades de la industria de la IA.