TSMC e Intel se han visto envueltos recientemente en un acalorado debate sobre qué empresa tendrá el nodo superior en los próximos años a medida que los fabricantes de semiconductores consoliden sus procesos de 3 nm e intensifiquen la competencia hacia los 2 nm. TSMC confía en su actual camino de desarrollo, pero el objetivo de Intel es entrar primero en el proceso de 2 nm y restablecer su posición dominante en la industria de los semiconductores.
El director ejecutivo de Intel, Pat Gelsinger, afirmó que el próximo nodo de proceso 18A de Intel (básicamente 1,8 nm) podría superar a los chips de 2 nm de TSMC a pesar de haber sido lanzado un año antes. Los comentarios contradicen las recientes afirmaciones de los rivales taiwaneses. Gelsinger hizo estas declaraciones en una entrevista con Barron's.
No está seguro de si un nodo será significativamente mejor que otro, pero es optimista sobre la ventana de lanzamiento de la empresa. El medio situó la competencia de Intel con TSMC en el contexto de los intentos de Estados Unidos de asegurar el suministro de semiconductores en medio de tensas relaciones con China. Como líder del mercado, TSMC suministra chips de 3 nm para los procesadores iPhone 15 y M3 Mac de Apple.
La compañía afirma que su próximo nodo N3P optimizado de 3 nm alcanzará un rendimiento energético comparable al Intel 18A. El gigante taiwanés espera lograr la producción en masa de N3P en la segunda mitad de 2024, aproximadamente al mismo tiempo que 20A (2 nm) y 18A.
Además, TSMC cree que su nodo N2 de 2 nm, que planea lanzar en 2025, superará al N3P y al 18A. Basado en el primer modelo de proceso de 3 nanómetros de la compañía, Apple puede dar prioridad al nodo N2 y usarlo para el iPhone 17 Pro.
Gelsinger confía en los 20A y 18A principalmente por su arquitectura RibbonFET: el uso por parte de la empresa de transistores de puerta completa (GAA) y tecnología de transferencia de energía trasera. Estas tecnologías son fundamentales para las empresas que fabrican chips de 2 nanómetros, ya que permiten una mayor densidad lógica y velocidades de reloj al tiempo que reducen las fugas de energía. Mientras tanto, el N3P de TSMC y otros nodos próximos de 3 nm continuarán usando la arquitectura FinFET madura hasta que el nodo N2 de Intel pase a GAA un año después.
Intel y TSMC no son las únicas empresas que se preparan para fabricar semiconductores de 2 nm. Samsung también espera entrar en la producción en masa de 2 nm en 2025, mientras que el fabricante japonés Rapidus planea lanzar prototipos en 2025 y comenzar la producción en masa en 2027.