El nodo A14 de TSMC pone fin a la reducción de SRAM después de ocho años de estancamiento, el área de la unidad de memoria cae un 19% por primera vez

📅 2026-10-27

Resumen:

Como el fabricante de semiconductores más grande y avanzado del mundo, el progreso de TSMC en la contracción de SRAM ha estado estancado durante muchos años. Desde la producción en masa del proceso N5 de 5 nm en 2020, el área de las celdas de memoria SRAM 6T se ha mantenido en aproximadamente 0,021 micrones cuadrados. La densidad de transistores de los componentes lógicos sigue aumentando, pero la memoria no ha seguido el mismo ritmo. Con la llegada del nodo A14, cuya entrada en producción está prevista para 2028, se espera que esta situación se rompa:

Se espera que la unidad de memoria SRAM 6T de TSMC se reduzca a 0,017 micrones cuadrados, una disminución de aproximadamente el 19%. Esto significa que TSMC ha logrado un gran avance en tecnologías relacionadas y se está preparando para impulsarla a la producción en masa con la ayuda del nodo A14.

TSMC está realizando actualmente una producción de prueba para evaluar la viabilidad de este nodo, al tiempo que permite a los clientes probar el rendimiento real de sus diseños en el entorno de producción de TSMC. La evolución del nodo A14 es bastante optimista. Debido al buen progreso inicial, el cronograma se ha adelantado. Si la producción de prueba continúa sin problemas y no ocurren problemas importantes de rendimiento o producción, la producción de prueba de riesgo comenzará en 2027, seguida de la producción en masa en 2028. Si no hay obstáculos obvios el próximo año, TSMC puede incluso adelantar el cronograma de producción en masa unos meses.

En comparación con la producción en masa recientemente anunciada del nodo N2 de 2 nm, el proceso A14 puede proporcionar una mejora de velocidad de hasta un 15 % con el mismo consumo de energía, o lograr una reducción del consumo de energía de hasta un 30 % con la misma frecuencia. TSMC también afirma que la densidad lógica ha aumentado un 20% y la densidad SRAM ha aumentado un 19%. Este progreso es significativo: los circuitos lógicos y las memorias ahora se pueden escalar de manera efectiva en períodos de generación mucho más grandes, en marcado contraste con la era sub-10 nm. El nodo A14 se presentará por primera vez en la fábrica de la sede de TSMC en Taiwán, donde la compañía planea comenzar la producción en masa en 2028.

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