Resumen:
La guerra de patentes 3D NAND que ha durado casi tres años entre Micron y Yangtze Memory se ha intensificado nuevamente. Micron presentó recientemente una demanda contra Yangtze Memory en el tribunal de distrito federal de Idaho, acusando a este último de adquirir su tecnología de fabricación 3D NAND y secretos comerciales mediante la contratación de antiguos ingenieros de Micron y el uso de estas tecnologías en la construcción de sus propios productos de memoria flash y sistema de patentes. Micron afirmó además que Yangtze Memory utilizó posteriormente algunas de las patentes presentadas por estos ex empleados de Micron para demandar a Micron por infracción de patentes en los Estados Unidos y otros países y regiones.
Cabe señalar que el contenido anterior son actualmente todas las acusaciones hechas por Micron en los documentos de la demanda, y no significan que el tribunal haya determinado que Yangtze Memory haya cometido actos ilegales en términos de apropiación indebida de secretos comerciales o propiedad de patentes. Las disputas entre las partes en torno a estas tecnologías y patentes continúan en múltiples jurisdicciones.
Micron declaró en la denuncia que Yangtze Memory ha contratado a varios ingenieros de Micron, incluidos Daesik Song, Wenxi Zhou y Hua Tan. Este personal tuvo acceso a información técnica 3D NAND altamente confidencial durante su trabajo anterior en Micron y, según el contrato firmado con Micron, todavía estaban obligados a proteger los secretos comerciales incluso después de dejar la empresa.
Micron señaló específicamente que algunos de los ingenieros involucrados se unieron a YMTC poco después de dejar la empresa, pero cuando dejaron la empresa, explicaron su salida por razones personales o familiares, y no actualizaron su información laboral de manera oportuna en plataformas sociales profesionales como LinkedIn. Micron cree que esto hizo que no se diera cuenta en ese momento de que estas personas habían obtenido acceso a Yangtze Storage, ni sospechara inmediatamente que la tecnología confidencial de la empresa podría haber sido llevada a un competidor.
Según Micron, estos ingenieros habían accedido previamente a información técnica altamente confidencial en los servidores de Micron en Boise, Idaho, que involucraba nodos de prueba y nodos de producción. El alcance de las tecnologías relacionadas es bastante amplio, incluidas tecnologías clave de fabricación 3D NAND, como el grabado de alta relación de aspecto, el proceso de compuerta de reemplazo, la conexión de pila multicapa, la formación y limpieza de columnas de celdas de memoria y los circuitos de E/S de memoria.
Micron alegó que Yangtze Memory luego asignó a este personal a áreas similares de investigación y desarrollo y utilizó su experiencia técnica previa para desarrollar sus propios productos. Más importante aún, Micron cree que algunos ex empleados se convirtieron más tarde en inventores de las patentes de Yangtze Memory, y las tecnologías involucradas en estas patentes se superpusieron con su trabajo anterior de investigación y desarrollo en Micron.
Micron cree que el problema no es solo que los ingenieros se trasladen de una compañía de chips a otra, sino que algunas tecnologías pueden convertirse de secretos comerciales de Micron a propiedad intelectual de Yangtze Memory durante el proceso de flujo de personal y, en última instancia, formar una cartera de patentes que puede usarse para iniciar un litigio de patentes contra Micron.
Micron dijo que solo se dio cuenta gradualmente de este problema después de que Yangtze Memory demandó a Micron por primera vez en noviembre de 2023 en California. En ese momento, Yangtze Memory acusó a Micron de infringir sus patentes estadounidenses relacionadas con 3D NAND. Cuando Micron estudió la lista de inventores de las patentes relevantes, descubrió que algunos de los inventores eran ingenieros que habían trabajado anteriormente en Micron.
Los ex empleados enumerados por Micron esta vez incluyen a Hongbin Zhu, Jun Liu, Yushi Hu, Qian Tao, Changhyun Lee, Daesik Song, Wenxi Zhou y Hua Tan. Micron cree que las tecnologías a las que estuvo expuesto este personal durante su mandato cubrieron múltiples enlaces de fabricación 3D NAND, y algunos de ellos se convirtieron más tarde en inventores de patentes relacionadas con la memoria Yangtze.
Entre ellas, varias patentes estadounidenses relacionadas con Hongbin Zhu han atraído especial atención por parte de Micron. Micron cree que algunas de las patentes de Yangtze Memory solicitadas por sus antiguos empleados están relacionadas con la tecnología que desarrollaron anteriormente en Micron, y algunas de estas patentes y sus familias de patentes fueron utilizadas posteriormente por Yangtze Memory en demandas contra Micron.
Sin embargo, el hecho de que un ex empleado cambie de trabajo de una empresa de chips a un competidor y continúe participando en investigación y desarrollo en un campo técnico con el que está familiarizado no prueba en sí mismo el robo de secretos comerciales. El flujo de ingenieros entre empresas de tecnología es muy común y es probable que los ingenieros del mismo campo continúen trabajando en tecnologías similares. La verdadera disputa es si las invenciones específicas en las patentes relevantes se formaron durante el mandato de Micron o se completaron de forma independiente después de unirse a Yangtze Memory, y si se utilizó tecnología confidencial protegida por Micron.
Si Micron puede finalmente demostrar que algunas de sus patentes en realidad se derivan de logros tecnológicos de su propiedad, entonces la disputa ya no se centrará solo en si Yangtze Memory ha infringido los secretos comerciales de Micron, sino que también puede involucrar la propiedad de los verdaderos derechos de las patentes relevantes. La demanda de Micron intenta confirmar a través del tribunal que algunas patentes relevantes en realidad pertenecen a Micron, debilitando así la base legal para que Yangtze Memory utilice estas patentes para demandar a Micron.
Esta guerra de patentes en realidad ha durado casi tres años. Yangtze Memory demandó a Micron en el Tribunal de Distrito de EE. UU. para el Distrito Norte de California en noviembre de 2023, inicialmente involucrando 8 patentes estadounidenses, principalmente dirigidas a la arquitectura y la tecnología de fabricación 3D NAND. Posteriormente, Yangtze Memory presentó múltiples demandas en China y continuó agregando nuevas demandas de patentes en los Estados Unidos.
Para octubre de 2025, Yangtze Storage habrá ampliado aún más sus líneas de frente a Texas, el Reino Unido, el Tribunal Unificado Europeo de Patentes y los tribunales alemanes, convirtiendo las disputas sobre patentes originalmente limitadas a los Estados Unidos en disputas globales de propiedad intelectual que abarcan múltiples países y regiones.
Hasta ahora, las dos partes han estado involucradas en más de 20 patentes y demandas, y los casos incluyen no solo infracción de patentes, sino también invalidez de patentes, confirmación de sentencias y otras disputas legales relacionadas. Micron también comenzó a contraatacar y propuso que el verdadero titular de los derechos de algunas patentes de Yangtze Memory debería ser Micron.
Justo antes de la última demanda de Micron, Yangtze Memory ya había hecho un progreso gradual en Alemania. El 18 de septiembre de 2026, el Tribunal del Primer Distrito de Munich, Alemania, dictaminó que Micron infringió dos modelos de utilidad alemanes relacionados con 3D NAND de Yangtze Memory y emitió una prohibición sobre productos relacionados.
Los derechos involucrados son DE 20 2020 006 166 U1 y DE 20 2021 004 551 U1, que involucran la estructura de escalera de 3D NAND y la tecnología de capa de barrera relacionada con el contacto de línea de palabras. El período de protección de estos dos derechos es de 10 años y el tribunal aún no ha dictado sentencia definitiva sobre infracción en otros tres casos relacionados.
Vale la pena señalar que estas dos familias de patentes de modelos de utilidad alemanas están relacionadas con el ex ingeniero de Micron Wenxi Zhou, y Yangtze Memory también ha utilizado las patentes estadounidenses correspondientes en un litigio contra Micron. Esto está directamente relacionado con la última acusación de Micron de que "ex empleados llevaron la tecnología Micron 3D NAND a Yangtze Memory y participaron además en la investigación y el desarrollo de patentes relacionadas".
Sin embargo, el fallo alemán sigue siendo sólo el resultado de la primera instancia. Micron apeló la decisión y está impugnando la validez de los derechos en otros procedimientos judiciales. Por tanto, estas dos prohibiciones alemanas no significan que la disputa mundial sobre patentes entre las dos partes haya terminado.
Las demandas anteriores de Yangtze Memory en los Estados Unidos no han logrado exactamente los mismos resultados que este fallo alemán, y algunas de las patentes en disputa han sido impugnadas por nulidad. Al mismo tiempo, Micron continúa protegiendo sus derechos de propiedad intelectual mediante contrademandas y demandas de confirmación.
El trasfondo industrial detrás de este conflicto también es muy especial. 3D NAND es una de las tecnologías centrales para los SSD, teléfonos inteligentes y dispositivos de almacenamiento de clase empresarial modernos. Fabricantes como Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia, Western Digital y Yangtze Memory han mantenido durante mucho tiempo sus barreras técnicas mediante la autorización de patentes, las licencias cruzadas y los litigios. Debido a que 3D NAND implica una gran cantidad de tecnologías complejas, desde la estructura de las celdas de memoria hasta el grabado, el apilamiento, la conexión y los circuitos de E/S, los límites de las patentes entre diferentes fabricantes suelen ser muy complejos.
La estrategia adoptada por Micron esta vez es obviamente más proactiva que el método anterior de defender principalmente los litigios sobre patentes de Yangtze Memory. En los últimos tres años, Yangtze Memory ha utilizado continuamente patentes para iniciar demandas contra Micron, mientras que Micron ha respondido principalmente mediante impugnaciones de invalidación de patentes y contrademandas. La presentación directa de una demanda sobre secretos comerciales y propiedad de patentes en Idaho, EE. UU., significa que Micron ha comenzado a cuestionar el proceso de formación de la cartera de patentes de Yangtze Memory desde otro ángulo.
Si Micron puede demostrar ante el tribunal que algunas de las invenciones cubiertas por las patentes de Yangtze Memory en realidad pertenecen a Micron, o probar que Yangtze Memory utilizó ilegalmente los secretos comerciales de Micron durante el proceso de investigación y desarrollo, los resultados relevantes también pueden afectar otros litigios de patentes en curso entre las dos partes. Sin embargo, si Micron no puede demostrar que existe una transferencia inadecuada de estas tecnologías, el hecho de que los ingenieros hayan trabajado en Micron no es suficiente para demostrar que existen problemas con las patentes relevantes de Yangtze Memory.
Por lo tanto, la disputa actual en realidad contiene dos cuestiones entrelazadas: por un lado, si Yangtze Memory ha infringido los secretos comerciales de Micron y quién debería poseer algunas de las patentes; por otro lado, si Micron ha infringido la tecnología relacionada con 3D NAND de Yangtze Memory que ha recibido protección legal. A medida que avanzan los casos en los Estados Unidos, China, Alemania, el Reino Unido y el Tribunal Unificado Europeo de Patentes, es probable que las disputas sobre propiedad intelectual entre las dos partes continúen durante mucho tiempo.
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